目的： 观察局部脑缺血再灌注损伤对小鼠 ＴＭＥＭ１６６ 基因和神经细胞自噬的影响。

方法：Ｃ５７ ／ ＢＬ６Ｊ 小鼠 ５０ 只，线栓法制作大脑中动脉栓塞 局部脑缺血模型，随机分为再灌注 ６，１２，２４，４８ ｈ 组。  通过免疫组化染色观察缺血侧大脑皮层及基底核 ＴＭＥＭ１６６、ＬＣ３⁃ＩＩ 的阳性细胞数量变化，Ｗｅｓｔｅｒｎ ｂｌｏｔ 检测不同再灌注时间 ＴＭＥＭ１６６、ＬＣ３⁃ＩＩ 蛋白水平的表达。

结果：  缺血侧 ＴＭＥＭ１６６ 随再灌注时间延长而增加，２４ ｈ 达到高峰；再灌注６ ｈ 后ＬＣ３⁃ＩＩ 表达出现，同样随再灌注时间而增加，２４ ｈ 达到高峰。  缺血侧自噬细胞数量的变化趋势与 ＴＭＥＭ１６６ 基本一致，对侧大脑半球上述指标无明显变化。

结论： 小鼠局部脑缺血再灌注损伤可以诱导 ＴＭＥＭ１６６ 的表达，通过激活 ＬＣ３⁃ＩＩ 引起神经细胞自噬。